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法人番号 8020001075701

ルネサスエレクトロニクス株式会社

上場 プライム 東京都江東区 従業員 6,613名
照合済みの公的データ
国税庁 年金機構 gBizINFO EDINET
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基本情報 公開
出所 国税庁・gBizINFO
確認 2024-04-24
商号
ルネサスエレクトロニクス株式会社
法人種別
株式会社
証券コード
6723　東証プライム・電気機器（TOPIX Large70）
本店所在地
東京都江東区豊洲３丁目２番２４号
電話番号
03-6773-3000 （有価証券報告書 表紙より）
法人番号指定日
2015-10-05
代表者
代表執行役社長兼CEO　柴田　英利
従業員数
6,613名
公式サイト
www.renesas.com/ja-jp/
公式SNS
公式サイトより・2026年7月収集
事業概要 公開
出所 gBizINFO（事業者の登録情報）
各種半導体に関する研究、開発、設計、製造、販売およびサービス
同じ住所に登記されている法人 公開
出所 国税庁 登記住所

この会社と同一の登記住所に登記されている他の法人です（全16社）。同一住所に多数の法人がある場合はレンタル／バーチャルオフィスの可能性がありますが、件数の事実のみを示し判定はしません。

  1. 1010001141097
  2. 1010601063294
  3. 2010001089484
  4. 2010901038516
  5. 2020001103681
  6. 3010001200727
この住所の全16社を見る
従業員数 会員
出所 日本年金機構
取得 2026-07-18
6,613 名 厚生年金 被保険者数
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公的実績 会員
出典 経済産業省 gBizINFO
取得 2026-07-18
官公庁調達 3 補助金 8 表彰 1
官公庁調達 3件
高効率・高速処理を可能とするＡＩチップ・次世代コンピューティングの技術開発研究開発課題発掘のための先導調査研究次世代ヘテロジーニアスＡＩデバイスのための高速シミュレーション環境、ＡＩコンパイラの開発とＳＷ－ＨＷの協調設計手法についての研究開発 9,845万円 国立研究開発法人新エネルギー・産業技術総合開発機構
高効率・高速処理を可能とするＡＩチップ・次世代コンピューティングの技術開発革新的ＡＩエッジコンピューティング技術の開発動的再構成技術を活用した組み込みＡＩシステムの研究開発 10.9億円 国立研究開発法人新エネルギー・産業技術総合開発機構
ポスト５Ｇ情報通信システム基盤強化研究開発事業先導研究（委託）ポスト５Ｇのワイヤレスインフラストラクチャ向けの高効率で低コストのミリ波トランシーバーの研究開発 847万円 国立研究開発法人新エネルギー・産業技術総合開発機構
補助金 8件
令和３年度産業技術実用化開発事業費補助金（サプライチェーン上不可欠性の高い半導体の生産設備の脱炭素化・刷新事業費補助金）一次公募（ルネサスエレクトロニクス３） 2.5億円 経済産業省
令和３年度産業技術実用化開発事業費補助金（サプライチェーン上不可欠性の高い半導体の生産設備の脱炭素化・刷新事業費補助金）一次公募（ルネサスエレクトロニクス２） 37.5億円 経済産業省
令和３年度産業技術実用化開発事業費補助金（サプライチェーン上不可欠性の高い半導体の生産設備の脱炭素化・刷新事業費補助金）一次公募（ルネサスエレクトロニクス４） 10.3億円 経済産業省
令和３年度産業技術実用化開発事業費補助金（サプライチェーン上不可欠性の高い半導体の生産設備の脱炭素化・刷新事業費補助金）一次公募（ルネサスエレクトロニクス２） 37.5億円 経済産業省
令和３年度産業技術実用化開発事業費補助金（サプライチェーン上不可欠性の高い半導体の生産設備の脱炭素化・刷新事業費補助金）一次公募（ルネサスエレクトロニクス４） 10.3億円 経済産業省
ほか 3 件
表彰 1件
次世代育成支援対策推進法に基づく「くるみん」認定 厚生労働省
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従業員データ 公開
出所 EDINET 有価証券報告書（提出会社単体）
提出 2026-03-19
平均年収
750 万円
平均年齢
48.5 歳
平均勤続年数
23.4 年
女性管理職比率
4.9 %
男性育休取得率
39.1 %
男女間賃金格差
74.8 %
有価証券報告書「従業員の状況」より（提出会社単体・当期）
財務ハイライト 会員
出所 EDINET 有価証券報告書
提出 2026-03-19
純利益率 -3.9%1人あたり売上 61百万円ROE -2.1%増収率 -2.0%
売上高の推移
2021-12
9939.1億円
2022-12
1.50兆円
2023-12
1.47兆円
2024-12
1.35兆円
2025-12
1.32兆円
決算期売上高営業利益経常利益純利益総資産純資産自己資本比率ROE1株配当従業員数
2025-12 1.32兆円-2094.9億円-517.6億円4.18兆円2.44兆円 58.5% -2.1% 28円 21,629名
2024-12 1.35兆円-2128.9億円2190.8億円4.49兆円2.54兆円 56.5% 9.7% 28円 22,711名
2023-12 1.47兆円-2970.4億円3370.9億円3.17兆円2.00兆円 63.2% 19.1% 28円 21,204名
2022-12 1.50兆円-2794.8億円2566.2億円2.81兆円1.53兆円 54.5% 19.1% - 21,017名
2021-12 9939.1億円-1298.6億円1195.4億円2.43兆円1.15兆円 47.4% 13.5% - 20,962名
連結優先・なければ単体。決算期変更があった企業は過去期の年月が実際とずれる場合があります
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基本情報の時系列 会員
出所 国税庁
照合 毎日
法人番号の指定 国税庁により法人番号が指定されました
変更履歴は2026年7月の収集開始以降に確認された変化です
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注意情報 有無を公開
出所 官報・行政処分公表
照合 毎日
注意情報は確認されていません
破産手続・解散・行政処分の公表を毎日照合しています
財務ハイライト 会員
出所 EDINET 有価証券報告書
提出 2026-03-19
最新期の主要数値 2025-12期 無料公開
売上高
1.32兆円
純利益
-517.6億円
総資産
4.18兆円
純資産
2.44兆円
自己資本比率
58.5%
EPS
-28.7円
1株配当
28円
純利益率 -3.9%1人あたり売上 61百万円ROE -2.1%ROA -1.2%増収率 -2.0%
5期サマリー
指標直近前期比CAGR推移（古→新）
売上高 1.32兆円 -2.0% +7.4%
経常利益 2094.9億円 -1.6% +12.7%
純利益 -517.6億円 -123.6% —
総資産 4.18兆円 -7.0% +14.5%
純資産 2.44兆円 -3.7% +20.7%
EPS（1株利益） -28.7円 -123.4% —
BPS（1株純資産） 817.1円 +7.7% +15.3%
営業CF 4528.6億円 +33.0% +10.2%
現金・現金同等物 2959.0億円 +29.1% +7.5%
自己資本比率 58.5% +2.0pt —
ROE -2.1% -11.8pt —
売上高の推移
2021-12
9939.1億円
2022-12
1.50兆円
2023-12
1.47兆円
2024-12
1.35兆円
2025-12
1.32兆円
純利益の推移 （■黒字 / ■赤字）
2021-12
1195.4億円
2022-12
2566.2億円
2023-12
3370.9億円
2024-12
2190.8億円
2025-12
-517.6億円
損益
決算期売上高営業利益経常利益純利益
2025-12 1.32兆円-2094.9億円-517.6億円
2024-12 1.35兆円-2128.9億円2190.8億円
2023-12 1.47兆円-2970.4億円3370.9億円
2022-12 1.50兆円-2794.8億円2566.2億円
2021-12 9939.1億円-1298.6億円1195.4億円
財政状態・株主還元
決算期総資産純資産自己資本比率ROE1株配当
2025-12 4.18兆円2.44兆円 58.5% -2.1% 28円
2024-12 4.49兆円2.54兆円 56.5% 9.7% 28円
2023-12 3.17兆円2.00兆円 63.2% 19.1% 28円
2022-12 2.81兆円1.53兆円 54.5% 19.1% -
2021-12 2.43兆円1.15兆円 47.4% 13.5% -
キャッシュ・フロー
決算期営業CF投資CF財務CF現金・現金同等物
2025-12 4528.6億円-1246.9億円-2696.7億円2959.0億円
2024-12 3404.8億円-1.28兆円6773.4億円2292.5億円
2023-12 4966.3億円-2674.9億円-1812.5億円4346.8億円
2022-12 4793.3億円-975.2億円-2947.7億円3360.7億円
2021-12 3073.8億円-6631.3億円3409.2億円2219.2億円
連結優先・なければ単体。決算期変更があった企業は過去期の年月が実際とずれる場合があります
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給与・働く環境 公開
出所 EDINET 有価証券報告書（提出会社単体）
提出 2026-03-19
平均年収
750 万円
平均年齢
48.5 歳
平均勤続
23.4 年
4.9%
女性管理職比率
39.1%
男性育休取得率
74.8%
男女間賃金比
有価証券報告書「従業員の状況」より（提出会社単体・当期）。男女間賃金比は男性=100としたときの女性の賃金割合
従業員数 会員
出所 日本年金機構 / EDINET
6,613 名 厚生年金 被保険者数（2026-07-18時点）
従業員数の推移（有報ベース）
2021-12
20,962名
2022-12
21,017名
2023-12
21,204名
2024-12
22,711名
2025-12
21,629名
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ルネサスエレクトロニクス株式会社の従業員データカード
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役員 会員
出所 EDINET 有価証券報告書
提出 2026-03-19
柴田英利
取締役
岩 﨑 二 郎
取締役
Selena Loh Lacroix
取締役
山本昇
取締役
平野拓也
取締役
水野朝子
取締役
有価証券報告書「役員の状況」記載の取締役・監査役等（提出日時点）
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大株主 会員
出所 EDINET 有価証券報告書
提出 2026-03-19
1 日本マスタートラスト信託銀行㈱（信託口）
16.82%
2 ㈱日本カストディ銀行（信託口）
6.02%
3 トヨタ自動車㈱
4.13%
4 JP MORGAN CHASE BANK 385864 （常任代理人㈱みずほ銀行）
3.37%
5 STATE STREET BANK AND TRUST COMPANY 505001（常任代理人㈱みずほ銀行）
3.35%
6 THE BANK OF NEW YORK MELLON 140040（常任代理人㈱みずほ銀行）
2.98%
7 THE CHASE MANHATTAN BANK, N.A. LONDONSECS LENDING OMNIBUS ACCOUNT（常任代理人㈱みずほ銀行）
2.41%
8 STATE STREET BANK AND TRUST COMPANY 505103（常任代理人㈱みずほ銀行）
1.67%
9 BNY GCM CLIENT ACCOUNT JPRD AC ISG (FE-AC)（常任代理人㈱三菱UFJ銀行）
1.62%
10 GSESL RENESAS CLIENT ASSET ACCOUNT（常任代理人SMBC日興証券㈱）
1.41%
有価証券報告書「大株主の状況」より（発行済株式総数に対する所有株式数の割合）
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沿革 公開
出所 EDINET 有価証券報告書「沿革」
2002-11 1日、日本電気㈱の汎用DRAM事業を除く半導体に関する研究、開発、設計、製造、販売およびサービスに関する事業を会社分割により分社化し、日本電気㈱の100％子会社であるNECエレクトロニクス㈱として発足しました。その後、
2003-07 24日に東京証券取引所市場第一部に株式を上場し、
2010-04 1日には㈱ルネサステクノロジと合併し、ルネサスエレクトロニクス㈱に商号変更しました。設立以降の動向については、以下のとおりであります。 年月事項
2002-11 日本電気㈱の汎用DRAMを除く半導体事業を会社分割により分社化し、日本電気㈱の100％子会社として神奈川県川崎市にNECエレクトロニクス㈱を設立
2003-07 東京証券取引所市場第一部に株式を上場
2004-05 山形日本電気㈱の高畠工場における後工程部門を、台湾のASEグループに売却
2004-07 当社から試作部門を分社化し、試作サービスの提供を主業務とするNECファブサーブ㈱を設立
2004-10 NECセミコンダクターズ九州㈱に山口日本電気㈱の組立および検査工程（後工程）を統合し、NECセミコンパッケージ・ソリューションズ㈱に社名変更
2005-01 山形日本電気㈱において300㎜ウェハ製造ラインの量産稼働開始
2005-10 首鋼NECエレクトロニクス社の半導体開発および販売部門を北京NEC集成電路設計有限公司に統合し、NECエレクトロニクス中国社に社名変更
2006-04 NEC化合物デバイス㈱を簡易合併方式により当社に吸収合併
2006-09 韓国における営業拠点としてNECエレクトロニクス韓国社を設立
2006-09 NECセミコンダクターズ・アイルランド社の組立および検査工程（後工程）ラインを閉鎖
2006-11 NECデバイスポート㈱を簡易合併方式により当社に吸収合併
2007-06 NECファブサーブ㈱のフォトマスク事業を大日本印刷㈱へ譲渡
2007-10 NECセミコンダクターズ・インドネシア社の組立および検査工程（後工程）ラインを閉鎖
2008-04 九州日本電気㈱は、山口日本電気㈱およびNECセミコンパッケージ・ソリューションズ㈱を吸収合併し、NECセミコンダクターズ九州・山口㈱に商号変更関西日本電気㈱は、福井日本電気㈱を吸収合併し、NECセミコンダクターズ関西㈱に商号変更山形日本電気㈱は、NECセミコンダクターズ山形㈱に商号変更
2010-04 ㈱ルネサステクノロジと合併し、ルネサスエレクトロニクス㈱に商号変更(注)
2010-11 ノキア・コーポレーションよりワイヤレスモデム事業を譲受
2010-12 モバイルマルチメディア事業（ノキア・コーポレーションから譲り受けたワイヤレスモデム事業を含む。）を吸収分割によりルネサスモバイル㈱に承継
2011-05 ルネサス エレクトロニクス・アメリカ社の前工程ライン（ローズビル工場）をドイツのテレファンケン社に譲渡
2012-02 ブラジルにおける販売支援拠点としてルネサス エレクトロニクス・ブラジル・サービス社の営業を開始
2012-03 パワーアンプ事業および㈱ルネサス東日本セミコンダクタ長野デバイス本部の事業を㈱村田製作所へ譲渡
2012-07 ㈱ルネサス北日本セミコンダクタの前工程ライン（津軽工場）を富士電機㈱に譲渡
2013-01 ㈱ルネサスハイコンポーネンツの全株式をアオイ電子㈱に譲渡
2013-06 ㈱ルネサス北日本セミコンダクタ、ルネサス関西セミコンダクタ㈱および㈱ルネサス九州セミコンダクタの組立および検査工程（後工程）ライン（函館工場、福井工場および熊本工場）ならびに北海電子㈱の製造支援事業を㈱ジェイデバイスに譲渡
2013-09 ㈱産業革新機構、トヨタ自動車㈱、日産自動車㈱、㈱ケーヒン、㈱デンソー、キヤノン㈱、㈱ニコン、パナソニック㈱および㈱安川電機を割当先とする第三者割当増資を実施
2013-10 ルネサスエレクトロニクス販売㈱を簡易合併方式により当社に吸収合併ルネサスマイクロシステム㈱は、㈱ルネサスデザインを吸収合併し、ルネサスシステムデザイン㈱に商号変更ルネサス武蔵エンジニアリングサービス㈱は、ルネサス北伊丹エンジニアリングサービス㈱およびルネサス高崎エンジニアリングサービス㈱を吸収合併し、ルネサスエンジニアリングサービス㈱に商号変更㈱ルネサス北日本セミコンダクタは、㈱ルネサス東日本セミコンダクタを吸収合併ルネサス モバイル・ヨーロッパ社およびルネサス モバイル・インド社の全株式をブロードコム・コーポレーションに譲渡 年月事項
2013-11 首鋼NECエレクトロニクス社の当社持分を首鋼総公司に譲渡
2014-02 インドにおける営業拠点としてルネサス エレクトロニクス・インド社を設立
2014-03 ルネサス山形セミコンダクタ㈱の前工程ライン（鶴岡工場）をソニーセミコンダクタ㈱に譲渡
2014-04 半導体前工程製造事業に関し、ルネサス関西セミコンダクタ㈱を存続会社として、当社の半導体前工程製造事業、ルネサスセミコンダクタ九州・山口㈱の半導体前工程製造事業、㈱ルネサス北日本セミコンダクタの結晶事業、ルネサス甲府セミコンダクタ㈱、㈱ルネサス那珂セミコンダクタ、㈱ルネサス セミコンダクタエンジニアリングおよびルネサス山形セミコンダクタ㈱を吸収分割および吸収合併にて集約し、ルネサス セミコンダクタマニュファクチュアリング㈱に商号変更半導体後工程製造事業に関し、ルネサスセミコンダクタ九州・山口㈱を存続会社として、当社の半導体後工程製造事業、㈱ルネサス北日本セミコンダクタ、㈱ルネサス柳井セミコンダク
2014-10 ルネサスモバイル㈱を簡易合併方式により当社に吸収合併㈱ルネサスエスピードライバの当社が保有する全株式を米国シナプティクス社の欧州子会社に譲渡
2015-04 当社のデバイスソリューション開発機能を簡易吸収分割方式により㈱ルネサス ソリューションズへ移管当社の開発支援機能を簡易吸収分割方式によりルネサス エンジニアリングサービス㈱へ移管㈱ルネサス ソリューションズのキット、プラットフォーム、分野ソリューションおよび拡販インフラの各開発機能などを簡易吸収分割方式により当社に移管㈱ルネサス ソリューションズは、ルネサス システムデザイン㈱を吸収合併し、ルネサス システムデザイン㈱に商号変更
2016-02 ルネサス セミコンダクタマニュファクチュアリング㈱の滋賀工場の一部（8インチウェハ製造ライン）をローム滋賀㈱に譲渡
2016-06 ルネサス エレクトロニクス・シンガポール社を存続会社として、同社とルネサス セミコンダクタ・シンガポール社を合併
2017-02 米国Intersil Corporation（以下「インターシル社」）の全株式を取得し、同社を当社の子会社化
2017-05 ルネサス セミコンダクタパッケージ＆テストソリューションズ㈱の受託開発・製造および画像認識システム開発・製造・販売事業を日立マクセル㈱に譲渡
2017-07 ルネサスシステムデザイン㈱を簡易合併方式により当社に吸収合併
2018-01 インターシル社は、ルネサス エレクトロニクス・アメリカ社を吸収合併し、ルネサス エレクトロニクス・アメリカ社に商号変更
2018-08 保有する㈱ルネサスイーストンの株式を一部売却し、当社の持分法適用関連会社から除外
2018-10 ルネサス セミコンダクタマニュファクチュアリング㈱の高知工場を丸三産業㈱に譲渡
2019-01 ルネサス セミコンダクタパッケージ＆テストソリューションズ㈱を簡易合併方式により当社に吸収合併
2019-03 米国Integrated Device Technology, Inc.（以下「IDT社」）の全株式を取得し、同社を当社の子会社化
2020-01 IDT社は、ルネサス エレクトロニクス・アメリカ社を吸収合併し、ルネサス エレクトロニクス・アメリカ社に商号変更
2021-08 英国Dialog Semiconductor Plc（以下「Dialog社」）の全株式を取得し、同社を当社の子会社化
2021-12 イスラエルCeleno Communications Ltd.の持株会社 Celeno Communications Inc.（以下「Celeno社」）の全株式を取得し、同社を当社の子会社化
2022-04 東京証券取引所の市場区分の再編に伴い、東京証券取引所プライム市場に移行
2022-07 米国Reality Analytics, Inc.の全株式を取得し、同社を当社の子会社化
2022-10 インドSteradian Semiconductors Private Limited（以下「Steradian社」）の全株式を取得し、同社を当社の子会社化
2023-06 オーストリアPanthronics AG（以下「Panthronics社」）の全株式を取得し、同社を当社の子会社化
2024-04 ルネサス エンジニアリングサービス㈱を簡易合併方式により当社に吸収合併
2024-06 米国Transphorm, Inc.（以下「Transphorm社」）の全株式を取得し、同社を当社の子会社化
2024-08 米国Altium Limited（以下「Altium社」）の全株式を取得し、同社を当社の子会社化 (注) 当該合併に伴い、㈱ルネサステクノロジの関係会社を承継するとともに、当社グループの関係会社の一部について、再編、商号変更などを実施しております。
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出典 経済産業省 gBizINFO
取得 2026-07-18
官公庁調達 3 補助金 8 表彰 1
官公庁調達 3件
高効率・高速処理を可能とするＡＩチップ・次世代コンピューティングの技術開発研究開発課題発掘のための先導調査研究次世代ヘテロジーニアスＡＩデバイスのための高速シミュレーション環境、ＡＩコンパイラの開発とＳＷ－ＨＷの協調設計手法についての研究開発 98百万円 国立研究開発法人新エネルギー・産業技術総合開発機構
高効率・高速処理を可能とするＡＩチップ・次世代コンピューティングの技術開発革新的ＡＩエッジコンピューティング技術の開発動的再構成技術を活用した組み込みＡＩシステムの研究開発 10.9億円 国立研究開発法人新エネルギー・産業技術総合開発機構
ポスト５Ｇ情報通信システム基盤強化研究開発事業先導研究（委託）ポスト５Ｇのワイヤレスインフラストラクチャ向けの高効率で低コストのミリ波トランシーバーの研究開発 8百万円 国立研究開発法人新エネルギー・産業技術総合開発機構
補助金 8件
令和３年度産業技術実用化開発事業費補助金（サプライチェーン上不可欠性の高い半導体の生産設備の脱炭素化・刷新事業費補助金）一次公募（ルネサスエレクトロニクス３） 2.5億円 経済産業省
令和３年度産業技術実用化開発事業費補助金（サプライチェーン上不可欠性の高い半導体の生産設備の脱炭素化・刷新事業費補助金）一次公募（ルネサスエレクトロニクス２） 37.5億円 経済産業省
令和３年度産業技術実用化開発事業費補助金（サプライチェーン上不可欠性の高い半導体の生産設備の脱炭素化・刷新事業費補助金）一次公募（ルネサスエレクトロニクス４） 10.3億円 経済産業省
令和３年度産業技術実用化開発事業費補助金（サプライチェーン上不可欠性の高い半導体の生産設備の脱炭素化・刷新事業費補助金）一次公募（ルネサスエレクトロニクス２） 37.5億円 経済産業省
令和３年度産業技術実用化開発事業費補助金（サプライチェーン上不可欠性の高い半導体の生産設備の脱炭素化・刷新事業費補助金）一次公募（ルネサスエレクトロニクス４） 10.3億円 経済産業省
令和３年度産業技術実用化開発事業費補助金（サプライチェーン上不可欠性の高い半導体の生産設備の脱炭素化・刷新事業費補助金）一次公募（ルネサスエレクトロニクス５） 7.9億円 経済産業省
令和３年度産業技術実用化開発事業費補助金（サプライチェーン上不可欠性の高い半導体の生産設備の脱炭素化・刷新事業費補助金）一次公募（ルネサスエレクトロニクス３） 2.5億円 経済産業省
令和３年度産業技術実用化開発事業費補助金（サプライチェーン上不可欠性の高い半導体の生産設備の脱炭素化・刷新事業費補助金）一次公募（ルネサスエレクトロニクス１） 3.2億円 経済産業省
表彰 1件
次世代育成支援対策推進法に基づく「くるみん」認定 厚生労働省
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