1987-02
世界初のNAND型フラッシュメモリを発明
1991-11
NAND型フラッシュメモリの製品化
1992-01
四日市工場（三重県）を設立
2000-05
Sandiskグループ（注1）とフラッシュメモリについて協業を開始
2001-11
多値技術を利用した160ナノメートル（以下「nm」という。）1ギガビットNAND（2ビット／セル(MLC)）を製品化
2001-12
汎用DRAM事業の撤退を決定
2002-04
四日市工場でフラッシュメモリを生産するため、Sandiskグループと共同出資でフラッシュビジョン㈲（注2）を設立
2005-02
四日市工場で300 mmクリーンルームである第3製造棟を稼動
2007-06
3次元フラッシュメモリ技術（注3）を開発
2007-09
四日市工場第4製造棟の竣工
2009-02
4ビット／セル（QLC）をSandiskグループと共同開発
2011-07
㈱東芝の社内カンパニーとして、セミコンダクター＆ストレージ社（メモリ・SSD事業含む）を設置 四日市工場第5製造棟の竣工
2014-04
15 nmプロセスを用いた128ギガビットNAND型フラッシュメモリを量産
2015-03
48層積層プロセスを用いたBiCS FLASH™のサンプル出荷開始
2016-04
社内カンパニー名をストレージ＆デバイスソリューション社に変更 年月概要
2016-07
四日市工場の新第2製造棟の竣工 64層積層プロセスを用いた第3世代BiCS FLASH™のサンプル出荷開始
2017-01
メモリ事業分社化の方針決定
2017-02
64層積層プロセスを用いた512ギガビットBiCS FLASH™のサンプル出荷開始 （注）1．2000年にSanDisk Corporationと協業を開始しました。同社はWestern Digitalグループと統合後、SanDisk Limited Liability Companyに組織変更しました。 2025年2月、Western Digitalグループのフラッシュメモリ事業が分社してSandisk Corporationとして米Nasdaqに上場しました（以下Sandisk Corporationとその関係会社を合わせて「Sandiskグループ」という。）。この分社に伴い、フラッシュメ
2017-02
㈱東芝のメモリ・SSD事業の承継を目的として、旧東芝メモリ㈱を設立
2017-04
㈱東芝から、㈱東芝の社内カンパニーであるストレージ＆デバイスソリューション社のメモリ事業（SSD事業を含み、イメージセンサ事業を除く）を会社分割により承継
2017-04
㈱東芝からの株式譲受により、国内会社3社（注1）海外会社3社（注2）を関係会社化
2017-05
64層積層プロセスを用いたBiCS FLASH™を搭載したNVMe™（注3）SSD（「ＸＧ5シリーズ」）の出荷を開始 香港地域でのメモリ製品拡販を目的として、東芝メモリアジア社（現キオクシアアジア社）を設立 北米及び南米地域でのメモリ製品拡販を目的として、東芝メモリアメリカ社（現キオクシアアメリカ社）を設立
2017-06
4ビット／セル（QLC）技術を用いたBiCS FLASH™を開発、試作品の提供開始 96層積層プロセスを適用した第4世代BiCS FLASH™を試作 シリコン貫通電極（TSV）技術を適用した3ビット／セル（TLC）のBiCS FLASH™の試作品の提供開始
2017-07
欧州地域でのメモリ製品拡販を目的として、東芝エレクトロニクス・ヨーロッパ社（注4）が東芝メモリヨーロッパ社（現キオクシアヨーロッパ社）を設立 連結子会社である東芝メモリアジア社が東芝エレクトロニクス・アジア社（注4）よりメモリ関連事業を譲受 ASEAN地域でのメモリ製品拡販を目的として、東芝メモリシンガポール社（現キオクシアシンガポール社）を設立 韓国地域でのメモリ製品拡販を目的として、東芝メモリ韓国社（現キオクシア韓国社）を設立
2017-08
64層積層プロセスを用いたBiCS FLASH™を搭載した業界初のエンタープライズSSD（「ＰＭ5シリーズ」「ＣＭ5シリーズ」）のサンプル出荷開始
2017-09
中国地域でのメモリ製品拡販を目的として、連結子会社の東芝エレクトロニクス（中国）社（現キオクシア中国社）が東芝電子部品（上海）社を設立 連結子会社である東芝メモリ韓国社（現キオクシア韓国社）が東芝エレクトロニクス韓国社（注4）よりメモリ関連事業を譲受 岩手県北上市の北上工業団地エリアに新規拠点の立ち上げを発表 年月概要
2017-10
東芝エレクトロニクス・ヨーロッパ社（注4）から、東芝メモリヨーロッパ社（現キオクシアヨーロッパ社）の全持分を取得し連結子会社化 東芝メモリアメリカ社（現キオクシアアメリカ社）が東芝アメリカ電子部品社（注4）よりメモリ関連事業を譲受 東芝電子部品（上海）社が東芝エレクトロニクス（中国）社よりメモリ関連事業を譲受 東芝メモリシンガポール社（現キオクシアシンガポール社）が東芝エレクトロニクス・アジア社（注4）よりメモリ関連事業を譲受 東芝メモリアメリカ社（現キオクシアアメリカ社）による東芝アメリカ電子部品社からのメモリ関連事業の譲受及び東芝メモリヨーロッパ社（現キオクシアヨーロッパ社）の連結子会社化
2017-11
東芝メモリ台湾社（現キオクシア台湾社）の株式を東芝デバイス＆ストレージ㈱（注4）より取得し連結子会社化
2017-12
岩手県北上市における製造拠点の立ち上げに向けて、東芝メモリ岩手㈱（現キオクシア岩手㈱）を設立
2018-01
㈱東芝からの株式譲受により、フラッシュアライアンス有限会社、フラッシュフォワード合同会社、フラッシュパートナーズ有限会社の3社（以下「製造合弁会社3社」という。）（注5）を関連会社化 旧東芝メモリ㈱グループの開発センター清掃業務及びヘルスキーパーを目的として、東芝メモリエトワール㈱（現キオクシアエトワール㈱）を設立
2018-04
64層積層プロセスを用いたBiCS FLASH™を搭載したデータセンター向けSSDのラインアップ拡充
2018-06
㈱東芝は、旧東芝メモリ㈱の全株式をBain Capital Private Equity, L.P.（そのグループを含む）を軸とする企業コンソーシアムにより組成される買収目的会社である㈱Pangeaへ譲渡
2018-07
サーバー向けの新しいコンセプトのSAS SSDの発売
2018-08
㈱Pangeaは、同社を存続会社として旧東芝メモリ㈱と合併し、同日に「東芝メモリ㈱」に社名変更（現キオクシア㈱）
2018-09
四日市工場の第6製造棟とメモリ開発センターの竣工 （注）1．東芝メモリアドバンスドパッケージ株式会社（ 2019年10月にキオクシアアドバンスドパッケージ株式会社に商号変更を実施、 2021年4月にキオクシア株式会社に吸収合併）、東芝メモリシステムズ株式会社（現キオクシアシステムズ株式会社）（いずれも連結子会社）、ディー・ティー・ファインエレクトロニクス株式会社（持分法適用関連会社）の3社です。2．東芝エレクトロニクス中国社（現キオクシア中国社）、東芝メモリ半導体台湾社（現キオクシア半導体台湾社）、他1社の3社です。3．NVMe™はNVM Express, Inc.の商標です。4．株式会社東芝
2019-03
東芝メモリ㈱（現キオクシア㈱）からの単独株式移転により、東芝メモリホールディングス㈱（現キオクシアホールディングス㈱）を設立
2019-05
大容量データへの高速アクセスに対応した2テラバイトのクライアントSSDプレミアムモデル（XG6-P）の開発
2019-06
㈱日本政策投資銀行に対する非転換社債型優先株式の発行及び金融機関からのシンジケートローンによる資金調達を実行
2019-08
ストレージクラスメモリ「XL-FLASH™」のサンプル出荷開始 新しいリムーバブルPCIe®（注1）／NVMe™メモリデバイス「XFMEXPRESS™」を開発 台湾・LITE-ON社のSSD事業の買収計画を公表
2019-10
ブランド名称をキオクシアに刷新したことに伴い、当社を含むグループ会社の社名変更（注2） キオクシア㈱北上工場（岩手県）第1製造棟の竣工 年月概要
2020-01
112層積層プロセスを適用した第5世代BiCS FLASH™を試作
2020-03
キオクシア㈱は、東芝中国社（注3）より、キオクシア中国社の株式を譲受、完全子会社化 キオクシア㈱は、東芝電子部品（上海）社の保有株式を全て東芝デバイス＆ストレージ㈱（注3）に売却
2020-07
キオクシア㈱は、台湾・LITE-ONテクノロジー社の子会社であるSolid State Storage Technology Corporationとその関係会社の全株式を取得
2021-02
162層積層プロセスを適用した第6世代BiCS FLASH™を試作
2021-04
キオクシア㈱は、キオクシアアドバンスドパッケージ㈱を吸収合併
2021-09
PCIe® 4.0対応ストレージクラスメモリ（SCM）搭載SSDをサンプル出荷
2022-01
4ビット／セル（QLC）技術を用いたUFS Ver. 3.1準拠の組み込み式フラッシュメモリをサンプル出荷
2022-06
キオクシア㈱は、東芝デジタルソリューションズ㈱（注3）より、中部東芝エンジニアリング㈱の株式を譲受、完全子会社化、キオクシアエンジニアリング㈱に社名変更
2022-10
四日市工場第7製造棟の竣工
2022-11
大容量ストレージを活用した記憶検索型AIによる画像分類技術を開発
2023-03
218層積層プロセスを適用した第8世代BiCS FLASH™を試作
2023-06
横浜テクノロジーキャンパスFlagship棟と新子安テクノロジーフロントの稼働開始
2023-08
キオクシアエネルギー・マネジメント㈱をキオクシア㈱からの会社分割により設立 エンタープライズ・データセンター向けPCIe® 5.0対応NVMe™ SSDのサンプルを出荷
2024-01
車載機器向けUFS Ver.4.0準拠の組み込み式フラッシュメモリのサンプルを出荷
2024-04
メモリ技術研究所を再編し、先端技術研究所を新設
2024-07
第8世代BiCS FLASH™ 2Tb QLC製品をサンプル出荷
2024-12
東京証券取引所プライム市場に株式を上場
2025-02
4.8Gb／秒のNANDインターフェーススピードを実現する3次元フラッシュメモリ技術を発表
2025-07
生成AI向け245.76 TB NVMe™エンタープライズSSDのサンプルを出荷
2025-09
北上工場第2製造棟の稼働開始 （注）1．PCIe®は、PCI-SIGの登録商標です。PCIe®とは、SSDのインターフェースの規格で、従来のSATAより、高速のデータ転送が可能です。2．キオクシアテクノロジーUK社は 2019年7月、キオクシアイスラエル社は 2019年8月、キオクシア中国社は 2020年2月にそれぞれ社名変更となっております。3．株式会社東芝の関係会社です。
