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法人番号 6010001146760

三菱ケミカル株式会社

Mitsubishi Chemical Corporation
東京都千代田区 設立 1950-06-01
照合済みの公的データ
国税庁 gBizINFO
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基本情報 公開
出所 国税庁・gBizINFO
確認 2026-05-15
商号
三菱ケミカル株式会社
法人種別
株式会社
本店所在地
東京都千代田区丸の内1丁目1番1号
電話番号
0827-52-2696 (医療情報ネット(三菱ケミカル株式会社広島事業所診療所・広島県大竹市)・2026年7月時点)
設立
1950-06-01
法人番号指定日
2015-10-05
インボイス登録
登録済 T6010001146760(2023-10-01登録)
代表者
筑本 学
従業員数
13,005名
公式SNS
公式サイトより・2026年8月収集
事業概要 公開
出所 gBizINFO(事業者の登録情報)
総合化学会社 各種化学製品等の研究・開発・製造・販売
注意情報 官報を公開
出所 官報・行政処分公表
照合 毎日
官報の公告は確認されていません
破産手続・解散・合併等の官報公告を毎日照合しています
🔒 与信チェック(公的データ5源との照合) 有料プラン

この企業について、以下の照合結果(記録の有無・件数・内容・出典)を確認できます。

🔒 行政処分の公表 消費者庁・公正取引委員会・金融庁・個人情報保護委員会・都道府県
🔒 労働基準関係法令違反の公表 47労働局の送検事案
🔒 指名停止措置 都道府県の発注機関
🔒 雇用関係助成金の不正受給の公表 47労働局(返還額つき)
🔒 インボイス登録の失効・取消 国税庁
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※ 表示は全企業共通です(この企業に記録があるかどうかは、この画面からは分かりません)。公的機関が公表した事実のみを出典つきで掲載しています。

同じ住所に登記されている法人 公開
出所 国税庁 登記住所

この会社と同一の登記住所に登記されている他の法人です(全88社)。同一住所に多数の法人がある場合はレンタル/バーチャルオフィスの可能性がありますが、件数の事実のみを示し判定はしません。

  1. 8010401059206
  2. 9010001212675
  3. 4010401068862
  4. 6010001146868
  5. 7010001146867
  6. 9010001026704
この住所の全88社を見る
女性活躍・両立支援 公開
出所 厚生労働省 女性の活躍推進企業データベース
時点 2026年7月31日時点
くるみんえるぼし(段階2) 厚生労働省等の認定制度
月平均残業
6.5 時間
女性役員比率
0.0 %
6.6%
女性管理職比率
78.2%
男女間賃金比
出典:女性の活躍推進企業データベースオープンデータ(2026年7月31日時点)(https://positive-ryouritsu.mhlw.go.jp/positivedb/opendata/)を加工して作成。企業が自ら入力・公表した情報で、空欄は非公表。男女間賃金比は男性=100としたときの女性の賃金割合(全労働者)。
従業員数 公開
出所 EDINET
基本情報の時系列 会員
出所 国税庁
照合 毎日
法人番号の指定 国税庁により法人番号が指定されました
変更履歴は2026年7月の収集開始以降に確認された変化です
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公的実績 会員
出典 経済産業省 gBizINFO
取得 2026-07-20
表彰 7
表彰 7件
グッドキャリア企業アワード(イノベーション賞(厚生労働省人材開発統括官表彰)) 厚生労働省
えるぼし-認定 厚生労働省
次世代育成支援対策推進法に基づく「くるみん」認定 厚生労働省
次世代育成支援対策推進法に基づく「くるみん」認定 厚生労働省
次世代育成支援対策推進法に基づく「くるみん」認定 厚生労働省
次世代育成支援対策推進法に基づく「くるみん」認定 厚生労働省
グッドキャリア企業アワード-表彰(イノベーション賞(人材開発統括官表彰)) 厚生労働省
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知的財産(特許・意匠・商標) 会員
出典 経済産業省 gBizINFO(特許庁の産業財産権情報)
特許 15,924意匠 75商標 392
意匠 中空糸膜ユニット 登録1762736
意匠 中空糸膜ユニット 登録1762737
意匠 中空糸膜ユニット 登録1762738
商標 HAZchart 登録6770412
商標 HAZchart 登録6770412
商標 HAZchart 登録6770412
特許 微生物担体及び水処理方法 登録7416335
特許 微生物担体及び水処理方法 登録7416335
特許 炭素材組成物、炭素材組成物の製造方法、負極及び二次電池 登録7351438
特許 シリカ粒子とその製造方法、シリカゾル、研磨組成物、研磨方法、半導体ウェハの製造方法及び半導体デバイスの製造方法 登録7464201
特許 シリカ粒子とその製造方法、シリカゾル、研磨組成物、研磨方法、半導体ウェハの製造方法及び半導体デバイスの製造方法 登録7464201
特許 シリカ粒子とその製造方法、シリカゾル、研磨組成物、研磨方法、半導体ウェハの製造方法及び半導体デバイスの製造方法 登録7464201
特許 シリカ粒子とその製造方法、シリカゾル、研磨組成物、研磨方法、半導体ウェハの製造方法及び半導体デバイスの製造方法 登録7464201
特許 シリカ粒子とその製造方法、シリカゾル、研磨組成物、研磨方法、半導体ウェハの製造方法及び半導体デバイスの製造方法 登録7464201
特許 炭素材組成物、炭素材組成物の製造方法、負極及び二次電池 登録7351438
特許 シリカ粒子とその製造方法、シリカゾル、研磨組成物、研磨方法、半導体ウェハの製造方法及び半導体デバイスの製造方法 登録7464201
特許 炭素材組成物、炭素材組成物の製造方法、負極及び二次電池 登録7351438
特許 蛍光体、発光装置、照明装置、画像表示装置及び車両用表示灯 登録7369410
特許 蛍光体、発光装置、照明装置、画像表示装置及び車両用表示灯 登録7369410
特許 蛍光体、発光装置、照明装置、画像表示装置及び車両用表示灯 登録7369409
ほか 16,371 件(新しい順に20件表示)
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