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法人番号 3010401046159

株式会社SUMCO

SUMCO CORPORATION
登記表記株式会社ＳＵＭＣＯ
上場 プライム 東京都港区
照合済みの公的データ
国税庁 gBizINFO EDINET
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基本情報 公開
出所 国税庁・gBizINFO
確認 2023-03-17
商号
株式会社SUMCO
法人種別
株式会社
証券コード
3436　東証プライム・金属製品（TOPIX Mid400）
本店所在地
東京都港区芝浦１丁目２番１号
電話番号
03-5444-0808 （有価証券報告書 表紙より）
法人番号指定日
2015-10-05
インボイス登録
登録済　T3010401046159（2023-10-01登録）
代表者
代表取締役　会長兼ＣＥＯ　　橋本　眞幸
従業員数
4,898名
公式サイト
www.sumcosi.com/
同じ住所に登記されている法人 公開
出所 国税庁 登記住所

この会社と同一の登記住所に登記されている他の法人です（全16社）。同一住所に多数の法人がある場合はレンタル／バーチャルオフィスの可能性がありますが、件数の事実のみを示し判定はしません。

  1. 1010401055252
  2. 2010401022573
  3. 2010401185503
  4. SUMCO労働組合
    その他の設立登記法人
    2010405005310
  5. 3010401089298
  6. 3010501028619
この住所の全16社を見る
注意情報 官報を公開
出所 官報・行政処分公表
照合 毎日
官報の公告は確認されていません
破産手続・解散・合併等の官報公告を毎日照合しています
行政処分・労働基準関係法令違反・指名停止措置の公表（消費者庁・公正取引委員会・都道府県・労働局等）との照合結果は、記録の有無を含め有料プランの会員向けに公開しています。プランを見る
活動シグナル
備考 事実の列挙であり休眠の断定ではありません
公式サイトのCopyright表記: 2018年
採用ページあり（公式サイト）
財務ハイライト 会員
出所 EDINET 有価証券報告書
提出 2026-03-26
最新期の主要数値 2025-12期 無料公開
売上高
4096.7億円
純利益
-117.5億円
総資産
1.13兆円
純資産
6477.9億円
自己資本比率
51.3%
EPS
-33.6円
1株配当
20円
純利益率 -2.9%1人あたり売上 42百万円ROE -2.0%ROA -1.0%増収率 +3.3%
5期サマリー
指標直近前期比CAGR推移（古→新）
売上高 4096.7億円 +3.3% +5.1%
経常利益 -38.9億円 -110.4% —
純利益 -117.5億円 -159.1% —
総資産 1.13兆円 -3.8% +10.2%
純資産 6477.9億円 -1.4% +5.5%
EPS（1株利益） -33.6円 -159.1% —
BPS（1株純資産） 1,653.9円 -2.3% +5.0%
営業CF 1000.4億円 +43.7% -1.1%
現金・現金同等物 753.0億円 -21.3% -23.9%
自己資本比率 51.3% +0.8pt —
ROE -2.0% -5.4pt —
売上高の推移
2021-12
3356.7億円
2022-12
4410.8億円
2023-12
4259.4億円
2024-12
3966.2億円
2025-12
4096.7億円
純利益の推移 （■黒字 / ■赤字）
2021-12
411.2億円
2022-12
702.0億円
2023-12
638.8億円
2024-12
198.8億円
2025-12
-117.5億円
損益
決算期売上高営業利益経常利益純利益
2025-12 4096.7億円--38.9億円-117.5億円
2024-12 3966.2億円-374.6億円198.8億円
2023-12 4259.4億円-726.3億円638.8億円
2022-12 4410.8億円-1113.4億円702.0億円
2021-12 3356.7億円-511.1億円411.2億円
財政状態・株主還元
決算期総資産純資産自己資本比率ROE1株配当
2025-12 1.13兆円6477.9億円 51.3% -2.0% 20円
2024-12 1.17兆円6572.4億円 50.5% 3.4% 21円
2023-12 1.07兆円6355.3億円 53.3% 11.6% 55円
2022-12 8925.5億円5914.8億円 59.8% 13.9% 81円
2021-12 7648.2億円5228.4億円 62.3% 10.4% 41円
キャッシュ・フロー
決算期営業CF投資CF財務CF現金・現金同等物
2025-12 1000.4億円-1114.5億円-87.3億円753.0億円
2024-12 696.3億円-2478.8億円1122.9億円956.7億円
2023-12 963.4億円-2476.8億円434.6億円1563.5億円
2022-12 1794.6億円-1263.5億円-231.5億円2593.1億円
2021-12 1047.1億円-673.4億円991.0億円2246.7億円
連結優先・なければ単体。決算期変更があった企業は過去期の年月が実際とずれる場合があります
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給与・働く環境 公開
出所 EDINET 有価証券報告書（提出会社単体）
提出 2026-03-26
平均年収
641 万円
平均年齢
42.7 歳
平均勤続
14.0 年
2.6%
女性管理職比率
72.1%
男女間賃金比
有価証券報告書「従業員の状況」より（提出会社単体・当期）。男女間賃金比は男性=100としたときの女性の賃金割合
従業員数 公開
出所 EDINET
従業員数の推移（有報ベース）
2021-12
8,469名
2022-12
9,189名
2023-12
9,847名
2024-12
9,850名
2025-12
9,714名
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株式会社SUMCOの従業員データカード
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役員 会員
出所 EDINET 有価証券報告書
提出 2026-03-26
橋本眞幸
代表取締役会長兼CEO取締役会議長
阿波俊弘
代表取締役社長営業本部長
龍田次郎
代表取締役副社長生産技術本部長
窪添伸一
代表取締役副社長社長室長
加藤健夫
取締役専務執行役員 ＡＩ推進本部長
加藤茜愛
取締役
藤井淳郎
取締役(監査等委員)
田中等
取締役(監査等委員)
三冨正博
取締役(監査等委員)
太田信一郎
取締役(監査等委員)
須江雅彦
取締役(監査等委員)
Amy Shigemi Hatta
取締役(監査等委員)
Anita Killian
取締役(監査等委員)
有価証券報告書「役員の状況」記載の取締役・監査役等（提出日時点）
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大株主 会員
出所 EDINET 有価証券報告書
提出 2026-03-26
1 日本マスタートラスト信託銀行株式会社(信託口)
16.67%
2 株式会社日本カストディ銀行(信託口)
10.66%
3 BNYMSANV AS AGENT / CLIENTS LUX UCITS NON TREATY 1(常任代理人 株式会社三菱ＵＦＪ銀行)
3.36%
4 JP MORGAN CHASE BANK 385864(常任代理人 株式会社みずほ銀行決済営業部)
2.52%
5 STATE STREET BANK AND TRUST COMPANY 505001(常任代理人 株式会社みずほ銀行決済営業部)
2.36%
6 STATE STREET BANK AND TRUST COMPANY 505103(常任代理人 株式会社みずほ銀行決済営業部)
2.26%
7 BBH (LUX) FOR FIDELITY FUNDS - GLOBAL TECHNOLOGY POOL(常任代理人 株式会社三菱ＵＦＪ銀行)
2.14%
8 JP MORGAN CHASE BANK 385781(常任代理人 株式会社みずほ銀行決済営業部)
1.90%
9 野村信託銀行株式会社(投信口)
1.72%
10 SCBHK AC-SCBCN FOR PRUDENTIAL HONG KONG LIMITED(常任代理人 株式会社三菱ＵＦＪ銀行)
1.13%
有価証券報告書「大株主の状況」より（発行済株式総数に対する所有株式数の割合）
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沿革 公開
出所 EDINET 有価証券報告書「沿革」
1999-07 に住友金属工業株式会社＜現 日本製鉄株式会社＞、三菱マテリアル株式会社及びその子会社である三菱マテリアルシリコン株式会社の共同出資(住友金属工業株式会社及び三菱マテリアルグループがそれぞれ50％出資)により、300mm口径のシリコンウェーハ(以下、「300mmウェーハ」という。)の開発及び製造を目的に設立されました。 2002年2月には、住友金属工業株式会社よりシリコン事業(シチックス事業本部)の営業を譲り受けるとともに、シリコン事業を営んでいた三菱マテリアルシリコン株式会社と合併することにより、両社のシリコンウェーハ事業を完全統合し各種シリコンウェーハを製造及び販売する専業メーカーとなりまし
1999-07 住友金属工業株式会社＜現 日本製鉄株式会社＞、三菱マテリアル株式会社及び三菱マテリアルシリコン株式会社の共同出資により、株式会社シリコン ユナイテッド マニュファクチュアリングとして設立。
2001-10 300mmウェーハの生産開始。
2002-01 米国における持株会社としてSUMCO USA Corporationを設立。
2002-02 住友金属工業株式会社＜現 日本製鉄株式会社＞よりシリコン事業(シチックス事業本部)の営業を譲り受けるとともに、三菱マテリアルシリコン株式会社と合併、同時に商号を三菱住友シリコン株式会社に変更。
2005-08 商号を株式会社ＳＵＭＣＯに変更。
2005-11 株式会社東京証券取引所市場第一部上場。
2006-10 コマツ電子金属株式会社＜現 SUMCO TECHXIV株式会社＞株式の公開買付けにより同社を子会社化。
2006-10 SUMCO Oregon Corporationを清算。
2007-01 SUMCO USA Corporationを清算。
2007-12 FORMOSA SUMCO TECHNOLOGY CORPORATIONが台湾証券交易所(証券取引所)に正式上場。
2008-05 株式交換の方法により、SUMCO TECHXIV株式会社を完全子会社化。
2008-08 会社分割の方法により、SUMCO TECHXIV株式会社の営業部門及び技術部門を承継。
2011-02 当社尼崎工場閉鎖。
2012-11 ジャパンスーパークォーツ株式会社＜現 当社ＪＳＱ事業部＞を吸収合併。
2013-03 SUMCOソーラー株式会社を清算。
2013-07 当社生野工場閉鎖。
2016-03 監査等委員会設置会社に移行。 2022年4月東京証券取引所の市場区分の見直しにより市場第一部からプライム市場へ移行。 2023年3月三菱マテリアル株式会社が新設した高純度シリコン株式会社に、三菱マテリアル株式会社の半導体用多結晶シリコン事業、並びに三菱マテリアル株式会社が保有するMitsubishi Polycrystalline Silicon America Corporation及び日本アエロジル株式会社の株式を承継させたうえで、高純度シリコン株式会社の株式を取得。 (注) 1． 2012年10月、住友金属工業株式会社が新日本製鐵株式会社と合併し新日鐵住金株式会社となりました。2．
2019-04 、新日鐵住金株式会社が日本製鉄株式会社に商号を変更しました。 なお、 2002年2月の事業統合までの住友金属工業株式会社旧シチックス事業本部及び旧三菱マテリアルシリコン株式会社の沿革は以下のとおりであります。 住友金属工業株式会社旧シチックス事業本部 年月事項 1962年1月大阪チタニウム製造株式会社尼崎工場＜後の当社尼崎工場＞においてシリコンウェーハの生産開始。 1973年8月大阪チタニウム製造株式会社と住友金属工業株式会社＜現 日本製鉄株式会社＞が共同出資で、シリコンウェーハ製造会社として九州電子金属株式会社を設立。 1992年10月大阪チタニウム製造株式会社が九州電子金属株式会社を吸収合
2019-04 、新日鐵住金株式会社が日本製鉄株式会社に商号を変更しました。 旧三菱マテリアルシリコン株式会社 年月事項 1958年12月新日本窒素肥料株式会社＜現 チッソ株式会社＞が半導体用高純度シリコンの製造・販売を目的に日窒電子化学株式会社を設立。 1959年10月三菱金属鉱業株式会社＜現 三菱マテリアル株式会社＞等が半導体用高純度シリコンの製造・販売等を目的に日本電子金属株式会社を設立。日窒電子化学株式会社野田工場が生産開始。 1964年3月新日本窒素肥料株式会社＜現 チッソ株式会社＞がチッソ電子化学株式会社を設立。 1964年8月日窒電子化学株式会社が解散し、チッソ電子化学株式会社に資産を譲渡。 1
有価証券報告書の「沿革」記載事項をそのまま再構成しています（AI生成ではありません）
基本情報の時系列 会員
出所 国税庁
照合 毎日
法人番号の指定 国税庁により法人番号が指定されました
変更履歴は2026年7月の収集開始以降に確認された変化です
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公的実績 会員
出典 経済産業省 gBizINFO
取得 2026-07-20
届出・認定 2
届出・認定 2件
ＤＸ認定制度 経済産業省
ＤＸ認定制度 経済産業省
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知的財産（特許・意匠・商標） 会員
出典 経済産業省 gBizINFO（特許庁の産業財産権情報）
特許 2,211意匠 5商標 32
商標 §ＳＵＭＣＯ 登録6759604
商標 ＳＵＭＣＯ 登録6759603
特許 半導体ウェーハの両面研磨方法、研磨ウェーハの製造方法、及び半導体ウェーハの両面研磨装置 登録7464088
特許 半導体ウェーハの両面研磨方法、研磨ウェーハの製造方法、及び半導体ウェーハの両面研磨装置 登録7464088
特許 半導体ウェーハの両面研磨方法、研磨ウェーハの製造方法、及び半導体ウェーハの両面研磨装置 登録7464088
特許 半導体ウェーハの両面研磨方法、研磨ウェーハの製造方法、及び半導体ウェーハの両面研磨装置 登録7464088
特許 半導体ウェーハの両面研磨方法、研磨ウェーハの製造方法、及び半導体ウェーハの両面研磨装置 登録7464088
特許 半導体ウェーハの両面研磨方法、研磨ウェーハの製造方法、及び半導体ウェーハの両面研磨装置 登録7464088
特許 ウェーハ研磨条件の決定方法、ウェーハの製造方法およびウェーハ片面研磨システム 登録7363978
特許 ウェーハ研磨条件の決定方法、ウェーハの製造方法およびウェーハ片面研磨システム 登録7363978
特許 ウェーハ研磨条件の決定方法、ウェーハの製造方法およびウェーハ片面研磨システム 登録7363978
特許 ウェーハ研磨条件の決定方法、ウェーハの製造方法およびウェーハ片面研磨システム 登録7363978
特許 ウェーハ研磨条件の決定方法、ウェーハの製造方法およびウェーハ片面研磨システム 登録7363978
特許 半導体ウェーハの鏡面面取り加工時の研磨代の評価方法 登録7327575
特許 半導体ウェーハの鏡面面取り加工時の研磨代の評価方法 登録7327575
特許 半導体ウェーハの鏡面面取り加工時の研磨代の評価方法 登録7327575
特許 半導体ウェーハの鏡面面取り加工時の研磨代の評価方法 登録7327575
特許 測定方法及び測定装置 登録7276553
特許 測定方法及び測定装置 登録7276553
特許 シリコン単結晶の製造方法 登録7359241
ほか 2,228 件（新しい順に20件表示）
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